SPB35N10 G 全国供应商、价格、PDF资料
SPB35N10 G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:35A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:44 毫欧 @ 26.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 83µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1570pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:P-TO263-3
- 包装:带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603(1608 公制) RES 53.6K OHM 1/10W 1% SMD 0603
- D-Sub Sullins Connector Solutions 非标准 CONN D-SUB RCPT 25POS T/H GOLD
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 845K OHM 1/8W .5% SMD 0805
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 4.7PF 200V RADIAL
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
- 红外发射器,UV 发射器 OSRAM Opto Semiconductors Inc 3.2mm L x 2.25mm W x 1.60mm H EMITTER 850NM MIDLED TOPLOOKER
- 逻辑 - 比较器 Texas Instruments 16-SOIC(0.209",5.30mm 宽) IC COMPARATOR MAGNITUDE 16SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603(1608 公制) RES 53.6 OHM 1/10W 1% SMD 0603
- D-Sub Sullins Connector Solutions 非标准 CONN D-SUB RCPT 50POS T/H GOLD
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 56PF 200V 5% RADIAL
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC GATE XOR QUAD 2-INPUT 14SOIC
- 红外发射器,UV 发射器 OSRAM Opto Semiconductors Inc 2-SMD,无引线 EMITTER 850NM MIDLED SIDELK SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 887K OHM 1/8W .5% SMD 0805
- D-Sub Sullins Connector Solutions 非标准 CONN D-SUB PLUG 15POS T/H GOLD
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 56PF 200V 5% RADIAL